Si840x
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Rev. 1.6
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相关代理商/技术参数
Si8405AB-A-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8405AB-B-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8405AB-B-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 2.5kV Bidrect I2C Isoltr/2UniCH 1.7MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8405DB 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:12-V P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI8405DB-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI8405DB-T1-E1 功能描述:MOSFET 12V 4.9A 2.77W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI8405DB-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.9A 2.77W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI-8405L 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Separate Excitation Switching Type with Coil